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提出一种高速低功耗动态锁存比较器,电路包含预放大器、锁存比较器和SR锁存器3部分.采用一种新的锁存比较器复位电路,该电路仅由一个P沟道金属氧化物半导体(PMOS)管构成,实现电荷的再利用,减小了延迟,降低了功耗.SR锁存器输入端口的寄生电容为锁存比较器的负载电容,对SR锁存器的输入端口进行改进,避免由于锁存比较器的负载电容失配导致的输入失调电压偏移的问题.电路采用TSMC 0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺实现.结果表明:电源电压为1.8V,时钟频率为1GHz时,比较器精度达0.3mV;最大输入失调电压为8mV,功耗为0.2mW;该比较器具有电路简单易实现、功耗低的特点. 相似文献
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设计一种应用于锁相环(PLL)中的锁定检测电路(LDC).该电路采用移位寄存器的方式,当连续18个时钟周期内检测到锁定时,输出通过正反馈置为高电平.同时,在该电路中加入复位及强制锁定端口,采用SMIC 28nm CMOS标准工艺库实现.仿真结果表明:当电源电压为0.9V,参考频率在10~100 MHz范围内时,均可完成锁定检测. 相似文献
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