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在SSH哈密顿基础上引进弱电子关联,对反式聚乙炔链中双激子的湮灭过程实施了分子动力学模拟.电子关联的引入延缓了链中激子的湮灭过程,关联强度U=0eV时,激子的湮灭时间约在t=84fs,计入四个近邻格点上的弱电子关联作用,湮灭时间明显减慢,约为t>100fs.随着弱关联强度的增加,湮灭时间逐渐延长.计算结果表明,在计算有机材料激子快速响应过程中计入电子关联是十分必要的. 相似文献
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姚仲瑜 《海南师范大学学报(自然科学版)》2011,(1):47-51
采用基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波方法对semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的电子结构进行自旋极化计算.semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs处于平衡晶格常数时都具有半金属性质,它们自旋向下子能带的带隙分别是0.59 eV和0.46eV,合金分子的总磁矩分别为3.00/formula和... 相似文献
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通过将振荡电路的振荡输出划分为固定频率和可变频率两种情形，对电路振荡的起振源作了分析，指出了某些教科书关于电路起振源不全面的叙述，并作了适当的修正 相似文献
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用拉格朗日方程研究RLC电路的暂态过程 总被引：9，自引：0，他引：9
姚仲瑜 《广西大学学报(自然科学版)》2001,26(2):145-149
介绍拉格朗日方程在RLC电路暂态过程分析中的应用。 相似文献
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姚仲瑜 《海南师范大学学报(自然科学版)》2011,24(1)
采用基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波方法对semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的电子结构进行自旋极化计算.semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs处于平衡晶格常数时都具有半金属性质,它们自旋向下子能带的带隙分别是0.59 eV和0.46eV,合金分子的总磁矩分别为3.00/formula和2.00/formula.在晶体相对于平衡晶格发生各向同性形变的情况下,计算semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的电子结构.计算结果表明,在相对于平衡晶格的各向同性形变分别为-6%～2%和-2%～4%时,semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的总磁矩稳定,并且能保持其半金属铁磁性. 相似文献
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介绍了双光束光声光谱仪的设计,并用设计成的仪器探测氙灯光源的光声谱,所得结果与其他文献给出的氙灯的发射谱相一致。 相似文献
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在SSH哈密顿基础上引进弱电子关联，对反式聚乙炔链中双激子的湮灭过程实施了分子动力学模拟．电子关联的引入延缓了链中激子的湮灭过程，关联强度U=0eV时，激子的湮灭时间约在t=84fs，计入四个近邻格点上的弱电子关联作用，湮灭时间明显减慢，约为t〉100fs．随着弱关联强度的增加，湮灭时间逐渐延长．计算结果表明，在计算有... 相似文献
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