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研究了深亚微米和3D条件下的cache访问延迟的设计和模拟技术.对不同容量、不同关联度、不同技术的cache进行了模拟.实验结果显示,深亚微米条件下,互联网络成为影响cache访问延迟的重要因素,40 nm工艺下它可占cache总访问延迟的61.1%;tag比较器的延迟对cache访问延迟的影响可达9.5%.但后者并未得到已有模型的重视.鉴于此,对已有的cache访问延迟模型进行了改进.基于3D条件下多核处理器最后一级大容量cache(L3C)的容量不断增长的趋势,eDRAM在功耗和面积上的优势使其更具吸引力.模拟结果显示,在容量为1 MB, 4 MB及大于16 MB的L3C设计下,相同容量的eDRAM cache延迟比SRAM cache小,差值为8.1%(1 MB)至53.5%(512 MB).实验结果显示,未来3D多核处理器设计中eDRAM是设计L3C的更佳选择. 相似文献
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利用三维集成电路中硅通孔具有延迟短、功耗低的特性,针对10层以上硅片堆叠的三维片上网络,设计了一种新的拓扑结构3DE Mesh,并通过实验数据的分析,验证了3DE Mesh的性能和可扩展性.结果表明,3DE Mesh的性能和可扩展性均满足10层以上硅片堆叠的三维集成电路的要求. 相似文献
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