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1
1.
n—p—n型硅器件中缺陷中心对载流子的影响
王涛
唐多权等
《扬州师院学报》
1992,12(4):57-59
研究了两种不同掺杂工艺的n-p-n型硅器件在^60Co的γ射线辐射前后产生的缺陷中心,讨论了它们在330~530K温度范围漂白对载流子相对浓度的影响。
相似文献
2.
γ射线在BJT型器件中引起的A中心和E中心
唐多权
包建忠
《扬州师院学报》
1994,14(3):43-46
相似文献
3.
γ射线辐照对BJT硅器件参数的影响
唐多权
马立国
《扬州大学学报(自然科学版)》
1998,1(4):21-23
研究了3种不同类型的BJT硅晶体器件,经γ射线辐照,理化处理后,其反向截止电流,反向击穿电压,饱和压降,静态电流放大系数等电学参数的变化规律。
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