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高纯Ti3SiC2块体的热压原位合成及性能研究 总被引：1，自引：0，他引：1
以Ti、Si和石墨粉为原料,以少量的Al为反应助剂,用反应热压(HP)工艺在1 450 ℃和25MPa下2 h制得纯度为97%、相对密度为98.45%、粒度为5～10 μm的Ti3SiC2多晶块体.其弯曲强度为407 MPa、室温电阻率为0.22×10-6 Ω·m、维氏硬度为3.97 GPa.与Barsoum和Ei-Raghy在1 600 ℃和40 MPa下烧结4 h获得的样品相比,本样品显示了较低的弯曲强度,基本相同的纯度、电阻率和硬度. 相似文献
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