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1
1.
基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究
总被引:3,自引:0,他引:3
牛文成
俞梅
周雅光
张福海
李华伟
贾云芳
那兴波
罗伟栋
《南开大学学报(自然科学版)》
2002,35(2):19-22
本文以In2O3及其混合物为敏感材料,采用悬浮栅结构和功函数方法,研究出可在室温下工作的HSGFET型功函数O3传感器,并给出传感器对O3响应曲线以及实验结果的理论分析等。
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