一氧化硅制备的研究

ＳｉＯ是一种宽带隙半导体光学材料，广泛用于真空镀膜：Ｄ－Ｔ核反应绝对测量囚禁放射性氘的气体靶窗［１］；激光增透膜和反射膜；无线电元件、玻璃、塑料和纸类等基体的保护膜、绝缘膜，及装饰膜的原料．由于ＳｉＯ的生产条件苛刻，而多限于实验室制备［２，３］，不能满足市场需要，因此我们在由实验室条件过渡到规模生产过程中，对制备较高纯度（９９．９％）的ＳｉＯ条件进行了研究和改进．以下简述制备ＳｉＯ过程中的化学反应及其压力、温度和反应时间对产品质量的影响．１制备方法１．１制备流程原料－纯化－配料－预制反应物成形－…     

利用二苯并-18-冠-6从硫氰酸盐溶液中萃取钴(Ⅱ)的研究

冠醚对碱金属和碱土金属已显示出独特的配位性能,其与稀土和锕系元素的配合物也有不少报道．但冠醚与过渡金属钴（Ⅱ）形成配合物［１～３］的研究较少．在萃取研究方面,Ｎａｖｒａｔｉｌ等［４］用冠醚从过氯酸体系萃取钴（Ⅱ）时,发现用１８冠６较好;Ｒｕｓｄｉ...     

双乙醛草酰二腙分光光度法——Ⅱ废水中微量铜的测定

铜与双环已酮草酰二脘(BCO)和双乙草二脘(BAO)在PH8—10时，形成1:2有色络合物其结构式为：式中R表CH_3CH或C_6H_(10)作者之一曾使用双环已酮草酰二腙(BCO)为试剂测定废水中的铜,建立了不用萃取分离的快速光度法。但缺点是蓝色络合物的稳定性差,灵敏度还不是很高。为此,本文在我们建立的双乙醛草酰二腙分光光度法的基础上,运用反应的最佳条件和分析参数,确证了方法的灵敏度,探讨了废水中可能存在的杂质离子的影响,制订了废水中微量铜的直接快速测定的又一新方法。本法与现有国家标准法及美国标准法比较,具有简便、快速、灵敏度高的特点。并且不需要用有机试剂萃取分离,既节约了试剂,又免除了造成的环境污染。测定低于1ppm的铜,获得了精密而准确的结果。     

强力霉素生产中氢化产物的控制分析——薄层-比色法

强力霉素(简称α-体)生产中氢化产物是较为复杂的.其中不仅有未反应的原料甲烯土霉素,而且还有副产物如强力霉素的差相异构体——β-强力霉素(简称β-体)和结构未知的氢化产物(生产上习称“前沿”).因此,氢化工艺中的耗氢量并不能反映α-体的产量.若采用强力霉素的成品分析法——生物效价法则因这些杂质不仅含量高,而且又有一定的生物活性,故使该法也不能应用.若采用薄层层折法检查,虽能查出这些杂质是否存在,但难于对α-体含量直接进行测定.为了掌握氢化进程,判断催     

立意新颖 朴中见秀──《王阳明与贵州文化》读后

由余怀彦等同志撰写的《王阳明与贵州文化》是一本值得一读的好书，它立意新颖，朴中见秀。在众多有关王阳明的著作中应当说是比较优秀的。正如此书的标题所揭示的那样，作者是从区域文化的角度探讨王阳明这个历史人物和贵州的关系，应当说，这个视角还是比较新颖的．这就为摆脱传统的教条主义框框，如实地、全面地介绍评价干阳明创造了必要的条件。因为理论界的长期灌输所造成的对历史人物评价上的流于僵化、片面影响不是一朝一夕所能清除的，而这个框框又必须抛开，不如此，就无法凸显于阳明的有血有肉的个性特征，就只是概念化的于阳明，…     

CORBA安全服务机制的研究

对CORBA安全服务中的CORBA安全参考模型和安全体系结构进行了详细的分析,为实现分布式应用软件的安全性能,提供了必要的理论准备。     

双乙醛草酰二腙分光光度法——Ⅲ.头发中铜的测定

铜是机体必需的微量元素之一。头发中的微量铜常以络合物形式定量存在于蛋白质组织中,其正常含量比血液中高。如人体摄入或吸收过量铜,将引起高浓度必需元素诱发中毒,通常从检验血液,予以诊断,基于头发分析取样较抽取血液简便,且无痛感,而样品收集与保存均易。从医学科学的发展和环境分析的需求来看,很显然、在临床诊断上,或环境监测中,头发分析更具有实际意义。     

人发中微量铜的测定--双乙醛草酰二腙分光光度法

本文用双乙醛草酰二腙分光光度法测定人发中的微量铜，利用铜与双环己酮革酰二腙(BCO)和双乙醛革酰二腙在PH8-l0条件下形成1：2有色络合物^[1]的原理而制定的分光光度分析法，其方法简便，结果准确．     

人发中微量铜的测定—乙醛草酰二腙分光光度法

本文用双乙醛草酰二腙分光光度法测定人发中的微量铜,利用铜与双环己酮草酰二腙(BCO)和双乙醛草酰二腙在PH810条件下形成1:2有色络合物[1]的原理而制定的分光光度分析法,其方法简便,结果准确     

R相变对双向记忆效应的影响研究

作者利用电阻法和伸长率一温度曲线的测试，研究了R相变和马氏体相变对TiNi记忆合金双向记忆效应(TWSME)的贡献，并研究了热机械训练对相变特征的影响．研究结果表明，热机械训练可导致降温时R相的出现，并且R相变对双向记忆效应的贡献远大于马氏体相变的贡献．在双向记忆效应训练过程中，由于位错的引入，能引起相变点Ms，Mf，Rs，As和Af的下降。