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采用了一种全新的方法,应用真空沉积技术在弹性的聚二甲基硅氧烷(PDMS)绝缘层上制备了均匀致密的并五苯薄膜.实验结果显示,通过氧等离子体处理和十八烷基三氯硅烷(OTS)气相修饰PDMS绝缘层,对沉积大晶粒的并五苯薄膜进而获得高迁移率的薄膜场效应晶体管有着至关重要的作用.实验中通过优化氧等离子体处理和OTS修饰的条件,在先后经过100 s氧等离子体处理和7 h气相OTS修饰的PDMS绝缘层上,制备并五苯薄膜场效应晶体管,其最高迁移率可以达到0.58 cm2·V-1·s-1.后续实验中在PDMS绝缘层上尝试并成功地制备了柔性的并五苯薄膜场效应晶体管.这一实验结果拓宽了PDMS作为柔性绝缘层可以通过真空沉积技术制备薄膜器件的能力,在未来大规模柔性电子产品的制备和优化中具有巨大的应用潜力. 相似文献
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选取2种具有金属与氮的卟啉结构植物叶片(三叶草、夹竹桃)为氮源,经过盐酸浸泡、Ce3+盐浸泡、干燥和500°C烧结,得到掺杂氮二氧化铈;通过X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪分析其相结构及成分和氧缺陷.结果表明:所得掺杂氮二氧化铈具有立方萤石结构;由植物叶片烧结所得二氧化铈中含有氮,且其氧缺陷含量高于纯二氧化铈样品;以植物叶片为氮源可实现对二氧化铈的氮掺杂,并提高其氧缺陷含量.这归因于氮掺杂所引起的电性不平衡、氧缺陷形成能下降、氧缺陷稳定化及晶格畸变等因素.此方法避免了人工掺杂氮方法所需的昂贵设备及有毒含氮化学试剂的使用,有望推广到一般掺杂氮金属氧化物的制备中. 相似文献
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