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目前制造集成电路,一般采用化学方法以去除光刻胶。这种方法需要热硫酸,发烟硝酸。丙酮等化学流剂浸泡,还要用棉花拭擦。这样不但酸雾及废液带来公害,而且还会影响器件的质量。为了改革集成电路研究室现用的化学方法,我们工农兵学员科研小组接受了这一任务,参考上海半导体器件研究所等离子去胶会战小组试制的去胶设备进行试验,结果初步证明是可行的。现将试验情况介绍如下。  相似文献   
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