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a-Ge_(1-x)C_x∶H 膜也是一类很重要的非晶半导体薄膜光电材料,其带隙宽度(Eopt)是可以调制的(从0.85eV 到2.5eV 以上),因而有着十分重要的应用前景。对于一个高效率叠层太阳电池来说,其关键之一是要获得一种具有高光敏性且 Eopt 小于1.5eV 的窄带隙底部电池材料。目前人们是把 Ge 或 Sn 掺入 a-si∶H 中,获得了窄带隙材料 a Si_(1-x) 相似文献
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