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采用最佳微扰的方法,对强磁场中无机半导体/有机低维复合结构中束缚态的跃迁能量在理论上进行了计算.结果表明,在强耦合条件下,这种束缚态的基态与低激发态的跃迁能量是耦合常数和磁场强度的函数,跃迁能量随耦合常数的增加而增大,磁场强度不同时跃迁能量也发生变化,并且质量比σ=me/mh对跃迁能量也有影响. 相似文献
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