关于电压放大电路静态工作点稳定性的定量分析

利用直流等效电路对两种偏置方式下电压放大电路静态工作点的稳定性进行了定量分析,得出了一些有益的结论.     

用量子力学从头算方法计算BH基态分子(X1∑+)的结构与势能函数

根据原子分子反应静力学原理导出了氢化硼（BH）分子基态电子状态及其离解极限,并采用量子力学从头算方法,分别运用二次组态相互作用QCISD(T)/6-311++G(3df,2pd)方法和高级电子相关偶合簇CCSD(T)/6-311++G(3df,2pd)方法研究了BH分子基态的结构与势能函数,计算其力常数（f2、f3、f4）和光谱参数（ωe、ωeχe、Be、αe、De）,结果与实验光谱数据吻合较好.这表明BH分子基态的势能函数可用经修正的Murrell-Sorbie+C6函数表示.     

强外电场作用下 AlF 分子的结构和激发特性

在沿 Al-F 连线方向的不同外电场（0 ~ 2. 571 125 × 1010V/m）下,采用密度泛函（DFT）方法中的 LSDA 在B3LYP /3 21G 基组水平上,优化得到氟化铝（AlF）分子的基态结构参数、电荷分布、电偶极矩、最高占据轨道（HOMO）能量、最低空轨道（LUMO）能量、能隙和费米能级。在同样的外电场作用下,采用杂化 CIS-DFT 方法（CIS-LSDA）,使用相同的基组,研究 AlF 分子的激发能和振子强度。结果表明：随着外电场的增大,AlF 分子总能量先增大后减小,电偶极矩先减小后增大,基态键长呈现先减小后增加、再不断减小的变化;电场使振子强度有的增大有的减小,影响比较复杂,说明外电场影响了电子的跃迁光谱强度。     

外电场下一氯代甲烷的激发与光谱性质

采用密度泛函B3LYP方法在6-31G(d)基组水平上,优化不同外电场下CH3Cl分子的基态稳定构型、电偶极矩和分子的总能量,并分析CH3Cl分子从HOMO-2到LUMO+2轨道的能量变化,利用杂化CIS-DFT方法在同样的基组下计算外电场下CH3Cl分子的前9个激发态的激发能、波长和振子强度.结果表明,在没有外电场的条件下,CH3Cl分子从基态跃迁到前9个激发态的激发能是不断增大的,在有外电场的作用下,总能量随外电场的增加呈没有规律的变化,偶极矩随外电场的增加先减小后增大,其前线轨道的能量随外电场的增加变化不明显.另外,外电场对CH3Cl分子的激发波长也产生一定影响.