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利用有限元法分析对生长在Au、Cu、Al2O3、SiO2、Ni这5种不同基底上的层状MoS2的应变分布进行模拟仿真.研究结果表明:基底材料的泊松比不同会使得基底和MoS2的y方向形变都不相同; 基底的杨氏模量不同会使得不同基底底部与二硫化钼(MoS2)顶部的应变差别不同.在膨胀过程中,y方向底端的拉伸应变大于中间的拉伸应变,这会导致基底与顶端应变高于中间的应变.因此,基底材料的杨氏模量和泊松比与MoS2的应变分布密切相关.根据仿真结果可得,由于MoS2在Au和SiO2基底上所受到的应变较小,导致MoS2的顶端和基底底部应变差较大,因此容易造成剥离脱落; 而在Al2O3基底上,由于基底材料具有较高的杨氏模量,且与MoS2比较接近,所以MoS2顶端和基底底部呈现的应变差接近.由此可见,在这些材料当中,Al2O3更适合作为MoS2的基底材料.通过研究基底材料的应变场分布,能更好地对纳米材料进行调控,从而改善器件的相关性能. 相似文献
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