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本文采用三氯化硼作反应试剂,研究一种新的蚀刻二氧化锡薄膜工艺.此工艺可以蚀刻1.5μm的线条,其分辨率好且精度高.当对二氧化锡的腐蚀速度为1500(?)/分左右时,不损伤光致抗蚀剂和二氧化锡层下的二氧化硅. 相似文献
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