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1.
500 V/11 A VDMOSFET 的研究   总被引：1，自引：0，他引：1  
在理论分析的基础上,设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片,并且进行了失效分析,从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题,提高了成品率．最后指出了今后努力的方向．  相似文献   
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