GaAs热氧化自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究

本文介绍利用闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究。采用ZnAs_2作为扩散源,源区温度为610℃,样品在650℃下进行扩散,使用显微镜和染色的方法进行了结深的测量,其实验结果表明这种自生氧化膜具有掩蔽杂质Zn扩散的性能,并用标准的平面工艺,以自生氧化物作掩蔽膜,试制了变容二极管。