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1.
对氨基苯甲酸长链醇酯的直接合成 总被引:1,自引:0,他引:1
在催化量的硫酸存在下,对氨基苯甲酸与长链醇直接反应制得了一系列对氨基苯甲酸长链醇酯.该方法简单,产率高. 相似文献
2.
在室温下用低能量Ar^+轰击MOS电容器肾面,能改善iO2-Si系统的界面特性和击穿特性。结果表明,随着轰击时间的增加,固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少,高场击穿的比率增大,然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为550eV和束流密度为0.5mA/cm^2时的效果比在350eV和0.3mA/cm^2时的好。 相似文献
3.
在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后,采用低能量氩离子束轰击芯片背面,能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明,晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关,而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。 相似文献
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本文提出针对学生不同的智能,进行多元智力理论视野下的化学学习指导研究,讨论了该理论及应用和实施结果的评价。 相似文献
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几株反硝化聚磷菌的筛选及其生理生化特性的鉴定 总被引:4,自引:0,他引:4
为研究反硝化聚磷菌的生物学特性,通过吸磷试验、硝酸盐还原产气试验及异染颗粒和PHB颗粒染色辅助检验,从苏州某食品厂排放的废水中分离筛选出3株反硝化聚磷菌B4、B5和B6。经鉴定,分别属于沙雷菌菌属(Serrat/a)、拉恩菌菌属(Rahnella aquatilis)和不动杆菌菌属(Acinetobacter)。测定了这3株菌的生长曲线,研究了温度和pH值对这3株菌株的生长及脱氮除磷效能的影响。结果表明,B4、B5和B6菌株的生长和脱氮除磷反应最适温度均在30℃左右;在室温条件下,B4、B5和B6生长的最适pH为6.5~8.5;3株菌反硝化脱氮除磷反应的最佳pH值均为中性偏碱。 相似文献
7.
通过MOS结构C-V特性曲线和C-V特性滞后曲线,对不同淀积条件下的SiO2-Si界面特性进行了研究,并与热氧化法和PECVD法生长的SiO2膜界面进行了比较,结果表明,在不同工艺条件下,其界面电荷密度有所不同,与热氧生长膜的界面电荷密度相近,比PECVD膜的界面电荷密度稍低,且其界面基本上呈现负电荷中心,根据俄歇电子能谱的结果,对其界面负电荷的形成作了定性的解释。 相似文献
8.
利用离子束镀膜技术,在非超高真空(1.33×10~(-3)Pa)下,采用离子束清洗衬底表面和对衬底加热的辅助方法,在单晶Si衬底上淀积Co薄层,再在Co层上淀积Si保护层,然后在570—680℃下进行真空(6.67×10~(-3)Pa)退火,能形成有害杂质(O、C等)含量少且界面区域过渡陡峭的CoSi_2/Si异质结。本文利用俄歇电子能谱(AES),X射线光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS)对样品的组分、化学相和电子结构进行了分析。 相似文献
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研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性,用低能量(550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面,能有效地改善其线性区的直流特性,如跨导,沟道电导,阈值电压,表面有效迁移率以及低频噪声等,实验结果表明,随着轰击时间的增加,跨导,沟道电导和表面有效迁移率光增大,然后减小,阈值电压先减小,随后变大;而低频噪声在轰击后明显减小,实验证明,上述参数的变化是硅-二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。 相似文献