离子注入重掺N的GaP中过带隙发光谱

为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N~+的GaP结构变成纤锌矿格子,这恰似GaN的结构.通过快速退火,进行了光致发光测量,无论退火前和后都得到了过带隙的发光.     

波长调制光谱实验技术的研究

介绍了波长调制谱的基本原理和它的应用,详细讨论了振荡狭缝的制作技术,利用该系统作了层状化合物半导体MoS_2的室温波长调制光谱,在550～700nm范围内观察到一系列清晰的谱结构。