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简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法、常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性,最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。 相似文献
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常温半导体气敏元件的研制 总被引:7,自引:0,他引:7
简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法,常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性,最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。 相似文献
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本文从理论上分析了热敏元件对气敏元件的温度补偿原理,指出了构成低温漂复合元件分立元件需要满足的条件,阐述了实验上的可行性。 相似文献
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本文应用DLTS方法对布里支曼法,Te溶液法和逐冷法生长的三种P型ZnTe单晶的深能级进行了研究。实验中测得了Ey+0.28eV能级,并发现了E_v+0.39 eV能级,确定了它的陷阱浓度N_T和俘获截面σ_P。对三种方法生长的ZnTe单晶进行了退火实验,并对退火前后的DLTS谱进行了比较。 相似文献
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