UFPA器件微桥腐蚀工艺的研究

利用硅单晶的各向异性腐蚀技术,研究了UFPA探测器的微桥腐蚀工艺.采用独特的腐蚀装置在厚度为300 μm的硅基片上成功地制备了腐蚀坑深度为260 μm,桥面宽度为2 mm的微桥结构.该装置能有效保护硅基片正面免受腐蚀液的漏蚀,从而可实施热释电薄膜的沉积先于微桥制备的技术线路,对提高器件的成品率具有重要的意义.     

BaTiO_3薄膜的制备及特性研究

本文以Ba(CH_3COO)_2和Ti(OC_4H_9)_4为原料,以CH_3COOH为催化剂,用溶胶-凝胶方法制备BaTiO0_3薄膜;用红外光谱研究原料水解与聚合形成BaTiO_3的机理;用Χ射线光谱研究薄膜结构,并研究工艺条件与电性能的关系。得到剩余极化强度为6.04μC/cm~2的铁电膜。     

PLT15薄膜热释电红外传感器的研制

用射频磁控溅射法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）结构衬底上沉积了高度Ｃ轴取向Ｌａ改性的ＰｂＴｉＯ３（ＰＬＴ１５）的薄膜,研究了ＰＬＴ１５薄膜的电晕极化方法,用此方法同时对多个热释电敏感单元进行了极化,利用ＰＬＴ１５薄膜制备了热释电红外感器,薄膜厚度是２μｍ,真空蒸发的Ｎｉ－Ｃｒ电极面积为１．２ｍｍ×１．０ｍｍ,敏感元一的Ｓｉ（１００）基片用热ＫＯＨ和ＥＰＷ进行刻蚀,用所设计的热释电系统测试系     

Si基片各向异性腐蚀特性研究

为了制备高性能铁电薄膜红外探测器 ,对Si微桥的湿化学腐蚀工艺进行了研究 .利用Si基片各向异性腐蚀特性 ,在四甲基氢氧化铵 (简称TMAH )水溶液中加入氢氧化钾 (KOH)作为各向异性腐蚀液 (简称KTMAH) ,研究了TMAH与KOH摩尔比、腐蚀浓度、腐蚀温度对Si基片腐蚀特性的影响 .结果表明 :Si(1 0 0 )面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大 ,随着TMAH与KOH摩尔比的降低 ,KTMAH腐蚀液对掩膜层的腐蚀程度加剧 .选用 5 g/L的过硫酸盐 (PDS)与TMAH质量分数为 2 5 %、TMAH与KOH摩尔比为2的KTMAH混合液作为腐蚀液 ,并在 80℃× 2 .5h的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面 ,可以制备质量较好的微桥结构     

溶胶-凝胶技术制备(Pb,La)TiO_3薄膜的实验研究

本文研究了溶胶-凝胶技术中溶液浓度、PH值、匀胶转速和热处理条件对PLT薄膜性能的影响规律.用该技术在SrTiO_3和MgO单晶基片上制备了具有钙钛矿型结构的择优取向PLT薄膜.在硅单晶和石英玻璃基片上制备了钙钛矿型结构的PLT陶瓷薄膜.     

新型Sol—Gel技术制备0—3型PZT厚膜材料研究

介绍了以硝酸锆、钛酸丁酯、乙酸铅为原料，去离子水、乙二醇乙醚为溶剂，采用新型Ｓｏｌ－Ｇｅｌ技术，即将ＰＺＴ陶瓷粉末分散于ＰＺＴ Ｓｏｌ中，形成均匀、稳定的厚膜材料先体溶液，再制备厚膜的方法，成功地制备出２￣５０μｍ厚的新型０－３型ＰＺＴ厚膜材料，ＸＲＤ谱分析显示，ＰＺＴ厚膜呈出现纯钙钛矿相结构，无焦绿石相存在。ＳＥＭ电镜照片显示，ＰＺＴ厚膜均匀一致，无裂纹，高致密，介电性能测试结果表明，ＰＺＴ厚膜     

铁电薄膜开关特性测量

对铁电薄膜的开关特性进行了分析．介绍了利用美国ＨＰ４１９２Ａ低频阻抗分析仪设计铁电薄膜开关特性测量仪的方法．讨论了测量原理以及如何利用测量仪所产生的双极性双脉冲对铁电薄膜的开关特性进行测量,给出了有关ＰＺＴ（５５／４５）铁电薄膜样品的测量结果     

ZnO压敏电阻器接触势垒的实验探讨

本文报道,在大电流下zno压敏烧结体的体内特性和表面特性不一致。它与一些典型铁电体具有同样特性,本文认为,这是由于体内的界面势垒和表面的电极接触势垒不同的缘故。