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1
1.
离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用
来永春
王大椿
张通和
罗晏
沈京华
林振金
谢葆珍
刘有宝
卢英华
边江
《北京师范大学学报(自然科学版)》
1986,(3)
本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、电阻率、迁移率和晶粒大小。对影响电路参数的多晶Si与单晶Si之间的界面氧化层、多晶Si厚度和晶粒大小作了较详细的分析,指出极薄界面氧化层的存在影响As从多晶Si向单晶Si的扩散,也有利于发射效率的提高。最后给出D.I2902电路的工艺流程和基本电参数。
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