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本文从二元系中稳定化合物与液相平衡关系入手，导出了由稳定化合物的熔化焓计算二元第活度的新公式，通过对In-Sb二元系的活度计算验证了本方法的可行性，并用这一新方法预报了半导体Ga-As二元系的活度。 相似文献
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本文从热力学原理出发，推导出：二元系中化合物的标准生成自由能符合拟抛物线规划；推广到三元系中则应符合抛物面规则；并且利用上述规则判定含稀土体系中化合物的稳定性。 相似文献
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本文在前述近似公式的基础上，进一步推导了其精确表达式，并利用新公式计算了InSb二元系的活度，与实验值吻合很好，证实了公式的可靠性。 相似文献
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