热红外低比辐射,高温反射比表面

在金属和非金属基体上，制备出了热红外低比辐射率以及射率和漫反射率都很低的高温反射比表面。对黄铜基体，Ｔ＝３７３Ｋ，λ≥８μｍ的法向积分比辐射率ε ｎ＝０．１３，Ｔ＝４１３Ｋ，λ＝８－２５μｍ的积分镜反射率Ｒｍ＝０．１５，积分漫反射率ＲＤ＝０．１６；对Ｋ９玻璃基体，Ｔ＝３７３Ｋ，λ≥８μｍ的εｎ＝０．１５，Ｔ＝４１３Ｋ，λ＝８－２５μｍ的Ｒｍ＝０．２１，ＲＤ＝０．１４，对于以Ｋ９玻璃为基体的同种表面     

Sm-Co非晶垂直磁化膜厚度的椭圆偏振法测量

本文叙述了用椭圆偏振法测定Sm-Co非晶垂直磁化膜厚度的列线图法和搜索法,并对该膜样品进行了测量,结果表明这两种方法是简便可行的。     

新型NTC热敏电阻材料——Mn基铁氧体的研究

研究了Mn基铁氧体的阻温特性,讨论了过铁含量、Ti~(4+)离子及工艺对Mn基铁氧体电阻率ρ和材料参数B的影响.通过改变铁离子氧化状态、掺杂及淬火工艺、改变Mn基铁氧体的整体电阻率ρ和材料参数B.     

NiO靶烧结温度对NiO/Ni81Fe19双层膜的影响

在不同的温度下烧结制备 Ni O靶 ,用射频磁控溅射法淀积 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜 ,研究了不同的温度烧结 Ni O靶对 Ni O/ Ni Fe双层膜特性的影响 ,结果表明 ,使用不同的烧结温度制备的 Ni O靶溅射所得的 Ni O膜中 Ni的化学价态及其含量不同 ,进而影响 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜的磁滞回线的矩形度及层间交换耦合作用     

新型NTC热敏电阻材料：Mn基铁氧化的研究

研究了Ｍｎ基铁氧体的阻温特性，讨论了过铁含量，Ｔｉ＾４＋离子及工艺对Ｍｎ基铁氧体电阻率ρ和材料参数Ｂ的影响，通过改变铁离子氧化状态，掺杂及淬火工艺，改善Ｍｎ基铁离子氧化状态，掺杂及淬火工艺，改变Ｍｎ基铁氧体的整体的整体电阻率ρ和材料参数Ｂ。