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低能质子引起的原子L壳的电离 总被引:2,自引:0,他引:2
利用270—450Kev 质子轰击 Pd、Ag、Cd、In、Ta、Au 和 Pb 厚靶、测得 L X—线产生截面,并与ECPSSR 理论作了比较. 相似文献
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采用符合关联实验技术进行的Ar^q Ne(q=8,9,11,12)碰撞体系中多电子转移过程的研究。在实验上鉴别了反应中各种电子转移过程,并测量了转移电离截面.研究了转移电离截面与反冲离子电荷态的关系,并利用修正后的分子过垒模型计算结果与实验结果进行了对比分析,计算结果较合理地描述了实验现象. 相似文献
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基于低通S-K滤波器的核脉冲成形电路 总被引:1,自引:0,他引:1
将S-K滤波器应用于核脉冲信号的成形中,采用较少的级数就可以达到准高斯波形的输出.仿真了基于低通S-K滤波器的滤波成形电路的特性,并给出了最佳的滤波器参数.采用宽带高速运算放大器设计和实现了该电路,通过实验证明了该电路的优越性. 相似文献
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