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利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜, 然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线. X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明, 制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构. 利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现, 纳米线具有十分光滑且干净的表面, 其直径为40~160 nm左右, 典型的纳米线长达几十微米. 室温下以300 nm波长的光激发样品表面, 显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射. 另外, 简单讨论了GaN纳米线的生长机制. 相似文献
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氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性 总被引：1，自引：0，他引：1
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40～160 nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300 nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制. 相似文献
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利用磁控溅射的方法，在Ni基体上形成致密的氧化物薄膜，用做铝电解实验的惰性阳极．用X射线衍射(XRD)分析、电子显微(SEM)分析，对实验前后薄膜的成分、形貌进行了定性分析和观察．实验结果表明：薄膜纳米尺寸的微小颗粒紧密排布；在960℃冰晶石熔盐电解质中，试样电极具有良好的耐腐蚀性能． 相似文献
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