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简单介绍了IV-VI族稀磁半导体的特性。IV-VI族稀磁半导体的自发磁化、矫顽力和居里温度等性质可由载流子浓度调节。对制造技术导致的缺陷反应迟钝用常规制备方法就可以制备IV-VI族稀磁半导体。作为一种磁离子和载流子能被分别导入和控制的稀磁半导体,IV-VI族稀磁半导体有利于研究稀磁半导体中的铁磁特性。给出了IV-VI族稀磁半导体由独立磁离子杂质、相邻杂质相互作用、晶格反磁性和载流子自旋密度四部分作用组成的总磁化强度的各部分的数学表达式。 相似文献
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讨论了量子力学中绘景的概念,给出了三种绘景的确切定义,分析了绘景与表象之间的相互关系。给出了与Hamilton量分解相关的绘景的一个定理,最后,借助于这个定理,统一地计算了量子力学中常见的三种绘景相互变换的幺正算符。 相似文献
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讨论了量子力学中绘景的概念,给出了三种绘景的确切定义,分析了绘景与表象之间的相互关系。给出了与Hamilton量分解相关的绘景的一个定理,最后,借助于这个定理,统一地计算了量子力学中常见的三种绘景相互变换的幺正算符。 相似文献
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