水在石墨面上吸附的理论研究

用量子化学从头计算方法对水在石墨（０００１）面上不同吸附位的吸附进行了研究．在计算中,分别用原子簇Ｃ１３Ｈ９、Ｃ１６Ｈ１０、Ｃ１２Ｈ１２模拟石墨表面,在６－３１Ｇ水平上计算了水在表面顶位、桥位及洞位上的吸附能量．研究表明：水在石墨面上的吸附很弱,且在不同吸附位的吸附能量近似相等,说明了对吸附位无选择性,属于物理吸附;在中性或带负电荷的石墨表面,当水分子中的氢端靠近表面时,体系存在一能量最低点,而在带正电荷的表面,当氧原子靠近表面时,存在稳定的吸附点;无论正负,表面所带电荷均增强了水分子与表面的相互作用．     

聚醚类材料模型化合物接触电荷转移复合物的理论研究

以甲醚为聚醚类化合物的模型分子 ,用从头计算方法研究了甲醚与O2 在无光照条件下反应生成的接触电荷转移复合物和其他可能中间物的构型和电子结构 .在UHF/ 6 3 1 g(d ,p)和 6 3 1 1 g(d)水平上优化了可能的平衡构型 ;用MP2方法对 6 3 1 1 g(d)基组水平上优化的构型进行了电子相关能的校正 ;并用CIS方法计算了氢过氧化物的激发能 .     

水在石墨面上吸附的理论研究

用量子化学从头计算方法对水在石墨（０００１）面上不同吸附位的吸附进行了研究。在计算中，分别用原子簇Ｃ１３Ｈ９、Ｃ１６Ｈ１０、Ｃ１２Ｈ１２模拟石墨表面，在６－３１Ｇ水平上计算了水在表面顶位、桥位及洞位上的吸附能量。研究表明：水在石墨面上的吸附很弱，且在不同吸附位的吸附能量近似相等，说明了对吸附位无选择性，属于物理吸附；在中性或带负电荷的石墨表面，当水分子中的氢端靠近表面时，体系存在一能量最低点，而在     

气相离子—分子反应的研究 Ⅰ.H_3NH~++NH_3体系质子传递的量化分析

本文用从头计算方法4—31基组计算了 H_3NH_-~++NH_3体系的势能面。该势能面的面貌表明 Eyring 模型用于气相离子—分子反应过于简单,质子传递的过程应由若干基元过程组成。     

聚醚类材料模型化合物接触电荷转移复合物的理论 …

以甲醚为聚醚类化合物的模型分子用从头计算方法研究了甲醚与Ｏ２在无光照条件下反应生成的接触电荷转移复合物和其他可能中间物的构型和电子结构。在ＵＨＦ／６－３１ｇ（ｄ,ｐ）和６－３１１ｇ（ｄ）水平上优化了可能的平衡构型;用ＭＰ２方法对６－３１１ｇ（ｄ）基组水平上优化的构型进行了电子相关能的校正;并用ＣＩＳ方法计算了氢过氧化物的激发能。     

固－气吸附的过渡态理论计算

用过渡态理论对固气吸附过程进行了研究，并对Ｈ２在Ｗ（００１），Ｆｅ（００１）以及Ｏ２在Ａｇ（１１０）表面上的吸附速度常数等作了计算，根据理论研究和计算结果，提出了一个更为简化的近似方案．     

类硅烯[CH（R）N]_2SiLiF（R=H和t-Bu）的构型及异构化反应

用密度泛函理论（DFT）在B3LYP/6-31G（d）计算水平上首次研究了N-杂环类硅烯[CH（R）N]_2SiLiF（R=H和t-Bu）的构型及异构化反应。计算得到了[CH（H）N]_2SiLiF的五个平衡构型和[CH（t-Bu）N]_2SiLiF的四个平衡构型。两种类硅烯的各构型中,包含四元环结构的p-络合物构型都是最稳定的,是实验上可能存在的构型。三元环构型、σ-络合物构型和＂经典＂四面体构型都是不稳定的。t-Bu基团增强了σ-络合物构型的稳定性,但减小了类硅烯的复合能,从而进一步证明了t-Bu取代的硅烯的稳定性。