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本文通过射频磁控溅射方法,在Si-SiO2衬底上制备了底栅层错型的非晶氧化锡铋(a-SnBiO)薄膜晶体管(TFTs),并表现出优良的开关特性.所制备的a-SnBiO TFTs阈值电压为0.7V,开关比为2.0×107.并且,通过在环境真空中的测试研究了a-SnBiO TFTs的偏压稳定性.研究发现,无论在正偏压下还是负偏压下,a-SnBiO TFTs均展现出了负向阈值电压漂移现象.这是由于沟道层内部缺陷态过多造成,偏压下氧空位相关缺陷电离产生自由载流子,使得沟道层中载流子浓度增加,造成阈值电压向负方向漂移. 相似文献
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