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TPD:CuPcLB薄膜作为电子阻挡层被引入到ITO/TPD:CuPc/Alg:DCM1/Al电致发光器件中的PPV和Alq:DCM1层之间。不含任何TPD:CuPc层或仅含单层TPD:CuPc且在较高直流电压(≥8V)驱动下的器件,它们的发射光谱同时来自PPV(513nm)和Al:DCM1(591nm)。相反,当含单层TPD:CuPc的器件在较低电压驱动下(<7V)或含双层TPD:CuPc的器件均具有591nm的发射峰值,这表明在此类器件中Al:DCM1作为电子转移型的发光层而TPD:CuPc则作为能有效地阻挡电子的电子阻挡层,因而我们可以通过调整载流子阻挡层的厚度来精确地控制载流子的复合区域从而得到不同的电致发光光谱 相似文献
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TPD:CuPc LB薄膜作为电子阻挡层被引入到ITO/TPD:CuPc/Alg:DCM1/Al电致发光器件中的PPV和Alq:DCM1层之间,不含任何TPD:CuPc层或仅含单层TPD:CuPc且在较高直流电压(≥8V)驱动下的器件,它们的发射光谱同时来自PPV(513nm)和Al:DCM1(591nm)。相反,当含单层TPD:CuPc的器件在较低电压驱动下(〈7V)或含双层TPD:CuPc的器 相似文献
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