排序方式： 共有5条查询结果，搜索用时 15 毫秒
1
1.
2.
3.
微型NiFe条形薄膜元件在反磁化过程中的磁畴活动 总被引：1，自引：0，他引：1
该文应用Ｂｉｔｔｅｒ粉纹技术系统地观察，并从能量分析了微型４０ｎｍ厚度ＮｉＦｅ薄膜条状元件在难轴方向反磁化过程中，磁畴结构的特性和变迁过程。研究表明，元件中的Ｂａｒｋａｕｓｅｎ跳跃是畴壁合并，壁态转变和塞漏畴转变等不可逆磁畴结构变化过程的结果。 相似文献
4.
5.
用Ｂｉｔｅｒ粉纹技术研究了长×宽为４０μｍ×３００μｍ，厚度为４０ｎｍ的微型ＮｉＦｅ磁阻元件，在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程，观察和分析了曲折状畴形成、Ｎｅｅｌ壁合并、封闭畴和钩形畴转变及Ｎｅｅｌ壁状态转变等一系列过程 相似文献
1