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用建立在双机制模型的高阶微扰公式计算了X-射线照射的钨酸盐BaWO4中四角对称(MoO4)3
Symbolm@@ 四面体基团的g 因子,在这个模型中,不仅考虑了常用的晶场机制,而且还包括了常被忽略的荷移机制对g因子的贡献.计算结果表明,要合理和准确地计算高价态dn离子在晶体中的g因子,荷移机制的贡献应予考虑.通过计算,还获得了BaWO4中(MoO4)3
Symbolm@@ 杂质中心的局部结构数据. 相似文献
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温度对半导体激光器的特性有很大的影响,在要求半导体激光器输出波长稳定的情况下,必须对其温度进行高精度控制,因此,对半导体激光器的温度控制技术的研究有重要的意义。采用半导体制冷器实现对激光器温度控制是一种常用的方法,本文对该方法的两种改进型温控系统进行了比较,得出了相关结论。 相似文献
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