过压自保护晶闸管二维电场分析

应用有限元法,对两种不同门极结构的过压自保护光控晶闸管的电场分布进行计算机模拟,讨论了电场分布与结构参数的关系及其对过压自保护特性的影响.计算表明,无P~-层晶闸管的穴区最大电场同时受到穴径和穴深的制约,而有p~+层的晶闸管穴径对电场的影响可以忽略,穴区最大电场主要由穴深确定.理论和实验均表明,控制门极的穴径和穴深可以达到控制门极自保护特性的目的.     

光控晶闸管最佳P基区参数的探讨

本文通过对挖槽形直接光触发晶闸管(LTT)模型进行近似定量处理,得出了光触发灵敏度与P基区诸参数之间的关系式,该式表明,合理协调各参数,可得到高灵敏度的P基区设计方案.由计算机计算的结果表明,任意r_1下的P_L～N_s曲线在某一N_x下均相交于一点,当N_sP>N_x时,最小光触发功率P_L随r_1的增大而减小,当N_(sp)相似文献   

薄发射区晶闸管结构及特性的研究

在晶闸管的ｐｉｎ二极管模型基础上，提出了薄发射区晶闸管新结构，分析Ｐ发射区杂质总量ＱＥ对晶闸管通态压降Ｖｒ的影响，导出ＱＥ与Ｖｒ的关系式。分析计算表明，对一确定的宽度ＷＢ和厚度ＷＰ小于等于０．１μｍ时，随着ＱＥ的减小，Ｖｒ单调下降并趋于一几乎不变的值，当ＱＥ大于某一值时，Ｖｒ与ＷＰ无关，而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加，实验结果还表明，用ＬＰＣＶＤ原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品，与     

一种压控石英晶体振荡器电路的设计

分析了压控石英晶体振荡器（VCXO）的原理、设计特点,设计了一个集成的VCXO驱动电路,该部分电路主要包括一个频率控制电路和一个自动增益控制电路,可以在芯片外部器件的共同作用下对石英晶体振荡器进行实时频率控制和振幅调整。设计的VCXO能输出高稳定渡、振幅恒定的时钟信号。     

一种基于IPM的简化空间矢量PWM研究

基于智能功率模块（IPM）,提出了一种简化的以三相相电压的大小来判断具体扇区的空间矢量脉宽调制（SVPWM）算法,分析了算法原理,并给出了算法流程．在不同载波比N和调制度M下,用MATLAB软件对参考电压矢量各扇区分布、调制信号、直流电压利用率及输出电压谐波等进行了仿真研究,分析得出N影响到参考电压矢量扇区分布和谐波性能,M将影响到调制波形、直流电压利用率和谐波含量,合适的N和M有利于提高SVPWM总体性能．利用TMS320F2812DSP进行了实验,验证了算法的有效性。     

PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在ＬＰＣＶＤ理论模型基础上，通过引进“电子温度”，对ＰＥＣＶＤ多晶硅膜进行了计算机模拟分析。结果表明，频功率和反应室气压是影响ＰＥＣＶＤ淀积速率分布的两个因素，且两者受ｐ＝ｋＷ线性关系的制约，即对于一定的射频功率，总可选择一何适的反应室气压，使淀积速率分布最佳，实验结果与理论分析相吻合。     

脉冲功率开关RSD的高dⅠ／dt特性研究

基于等离子体双极漂移模型，得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管（RSD）的dⅠ／dt耐量解析表达式，分析了RSD的主放电回路模型，在此基础上讨论了影响RSD的dⅠ／dt特性的因素，dⅠ／dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大，随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大．RSD的dⅠ／dt耐量可达1×10^5A·μs^-1，远高于普通晶闸管，可应用于短脉冲大电流领域．     

多元胞结构的半导体放电管浪涌能力研究

鉴于半导体放电管工作时的最高温升决定其浪涌能力,通过对器件进行温度场模拟,可以明显地看出基片厚度、载流子浓度以及元胞数对器件温升的影响。因此对不同厚度、杂质浓度的16元胞放电管进行了浪涌实验。模拟和实验结果均表明,增加元胞数、选择均匀性好和较薄的衬底材料以及采用低扩散浓度方法可以减少放电管工作时的温升,改善放电管浪涌能力。