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1.
非光滑小球挂在粗糙墙上的平衡问题何熙起(内江师专物理系)有静摩擦力存在时,物体的受力平衡问题注往具有不定解.由于静摩擦力的量值变化是有一定范围的,因此物体的平衡位置也往往有一定的范围.求解有关静摩擦力存在时的物体的平衡问题,要注意解的范围,以免漏解;...  相似文献   
2.
热力学定律对昂尼斯气体的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文导出了昂尼斯气体的热力学函数,并讨论了热力学第一定律对昂尼斯气体的应用及昂尼斯气体的卡诺循环。  相似文献   
3.
采用物理实验和数值模拟方法,研究不同粗糙度的矩形断面明渠,横向水平浮射流特性;以期对浮射流和主流的相互作用、浮射流横向扩展规律、粗糙度对二次流强度的影响、粗糙度对浮射流横向扩展距离的影响有深入认识。为了更加充分验证分析的正确性,对动量方程进行简化,得到沿水深方向积分后的解析解;进而详细阐述粗糙度对二次流强度的影响。研究表明,随着粗糙度增加,横向水平浮射流扩展宽度减小;且随着排水口淹没水深减小,粗糙度对热水浮射流横向扩展宽度的影响不断减弱。不同粗糙度对二次流强度影响不同是造成上述现象的主要原因。该成果可用于不同粗糙度河槽的温排水问题的研究中。  相似文献   
4.
用数值分析方法分析一类非线性阻尼振动问题,与线性阻尼振动进行比较,得到非线性阻尼振动状态每次过θ=0位置的时刻稍后于线性阻尼振动状态。并分析了将非线性阻尼振动当作线性阻尼振动的条件。  相似文献   
5.
基于一般正胶光刻工艺的剥离工艺,所需胶膜的厚度要大大超过剥离薄膜的厚度,这样在剥离线宽小、厚度大的微腔结构探测器的金属互连柱图形时就会存在光刻分辨率低、剥离难的问题.本文重点研究了基于AZ5214E光刻胶图像反转性能的剥离工艺,对图像反转光刻所特有的反转烘、掩模曝光、泛曝光工艺条件进行了详细的对比实验.结果表明:当反转烘温度为96~98℃,第一次掩模曝光时间和泛曝光时间分别为8.1 s、8.4 s时,可以得到较好的光刻图形.通过电子束蒸发Ti,成功剥离出高2.40μm、面积3.0 μm×3.0 μm的Ti微互连柱.此工艺的优点在于分辨率高,胶膜与剥离薄膜的厚度比接近1时,也能剥离出所要图形,可以用于制备MEMS微腔器件中的微互连柱.  相似文献   
6.
对牛顿环等厚干涉和薄膜等倾干涉条纹形状、干涉级次以及膜厚改变和复色光照射时的情况作了比较分析.  相似文献   
7.
研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约2μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模。  相似文献   
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