用作金刚石微电子和微机械器件的若干关键技术

针对金刚石薄膜用于微电子器件和微机械器件的共性关键技术问题,总结了近年来这些方面的研究成果,包括：用交流－直流负偏压微波等离子化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）在绝缘ＳｉＯ２衬底上实现金刚石高密度成核,高成核选择比的金刚石选择生长技术,铝掩模氧反应离子束刻蚀金刚石薄膜的图形化技术,以及与金刚石生长工艺兼容的牺牲层、绝缘层技术等。     

反应离子束镀膜制备高T_cY-Ba-Cu-O超导薄膜

一、引言 自1986年IBM苏黎士研究实验室Bednorz和Müller发现Ba—La—Cu—O高T_6超导氧化物后,高温超导发展迅猛。在弱电应用方面最有前景的氧化物超导薄膜尤其如此。目前,制备氧化物超导薄膜主要有两种方法:一是电子束蒸发,如IBM的Chaudhari等用三枪电子束共蒸Y、Ba、Cu,退火后获得零电阻为90K的Y—Ba—Cu—O超导薄膜,电流密度高达10~5A/cm~2(77K);国内北京大学物理系用电子束分层蒸发也获得了零电阻为84K的YBaCuO超导薄膜。另一种方法为溅射沉积。日本的Enomoto等和中国科学院物理研