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本文是利用新近研制成功的沟道基区晶体管(channel base transiston=CBT)运用到集成运算放大器上。这样不仅使运算放大器的工作温度范围展宽,而且也使其失调及失调温漂等显著地减小,有效地扩展了模拟集成运算放大器的参数指标和应用范围 相似文献
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本文描述了PNP超高频沟道基区全温晶体管新器件的结构,工作原理,设计与制造,这种新器件的突出特点是当温度T变化时,h_(FE)漂移较小。测试结果表明: 环境温度从25℃升到180℃时,器件的h_(FE)随温度T变化率小于35%. 当温度由25℃升到180℃时,这种新器件的h_(FE)变化率均优于同类型的常规双极结型晶体管的h_(FE)变化率。变化率平均改善20%. 当温度从25℃降到-55℃时,新器件的h_(FE)变化率小于或等于30%. 器件的特征频率达到:f_T=700MC 相似文献
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