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为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率,研究了用等离子增强化学气相沉积(PECVD)的SiNx:H作为晶体硅太阳电池的表面钝化及减反射膜对电池性能的影响,并采用不同的工艺路线制备了不同类型的电池。实验发现:同SiNx:H比较,SiNx:H/SiO2双层光学减反射结构对晶体硅太阳电池能起到更加有效的表面钝化作用,提高了太阳电池的光电转换效率。基于界面物理,提出了一种新的能带模型,解释了用不同实验方法制作的晶体硅太阳池性能的差异。  相似文献   
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报导了在P/I界面引入CGL:B:C*缓冲层对大面积(2790cm2)单结集成P-I-N型。a-SI:H太阳电池性能影响的研究结果.实验发现:带有CGL:B:C层的a-SI:H太阳电池性能的提高主要是填充因子FF的增加所导致,实验所得电池的FF平均达60.33%,平均有效面积转换效率FF达6.0%,分别比目前的生产水平(FF=53.9%,EF=53%)提高了11.99%和13.2%.最后,依据建立的电池能带模型,从理论上解释了引入CGL:B:C后电池性能得以提高的原因.  相似文献   
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