减压硅外延的混合动力学分析

本文讨论了减压情况下硅外延生长过程的动力学问题,用混合动力学模型分析了压力和温度等参数对生长速率和薄膜淀积厚度均匀性的影响,以及质量输运与表面反应控制相互转变特征,理论分析与实验结果吻合得较好。     

CVD反应器内复杂流动现象的有限元模拟

本文建立了用于计算立式钟罩CVD反应器内对流扩散现象的流体动力学和热输运方程,并用Galerkin有限元法做了计算(计算过程中考虑了热浮力对流动的影响)。计算结果表明,在热基座上方存在着涡旋运动,彻底消除这种运动比较困难,但适当地增加入流速度可使涡旋区远离基座表面,从而可消弱涡旋运动对薄膜生长均匀性的影响。