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提出了纯金属电阻率的两个简化模型:一个统计模型,一个电子一声子耦合模型。由统计模型可得出:纯金属电阻率与声子浓度及声子平均动量的平方成正比。由电子-声子耦合模型得出:电子的散射几率不仅正比于声子数,而且正比于电子-声子的耦合强度。由这两个模型皆能得出纯金属电阻率在高温时与温度T成正比,低温时与T5成正比的结果。由电阻率—温度曲线的比较表明,两模型相当吻合。 相似文献
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本文提出了一个描述扭曲向列型(TN)液晶显示器件电光特性的简化模型。根据模型,可以很容易地计算出各类参数液晶显示器件的电光特性。理论计算与实验数据符合的很好。因此该模型可用于有源矩阵(Active Matix)液晶显示系统的模拟程序。 相似文献
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多晶硅的电学特性远比单晶硅复杂。不同作者,如seto和Kamins,关于迁移率与掺杂浓度关系的实验结果是互不一致的。本文认为他们的理论和实验只在一定范围内成立。作者预计迁移率与掺杂浓度关系曲线在中等掺杂浓度范围内应有一个极小值;而在高浓度方面则应存在一个极大值,并且计算了它们所对应的掺杂浓度及其与晶粒大小的关系。 相似文献
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本文报导了用于液晶平面显示板的非晶硅薄膜晶体管的研制结果。晶体管的断态电流<10~(11)A,通态与断态电流比>10~5,开启电压约为5 V。并对影响晶体管参数性能的主要因素做了分析和讨论。 相似文献
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基于遗传算法的半导体器件模型参数提取 总被引:1,自引:0,他引:1
随着半导体器件特征尺寸的缩小,半导体器件模型也变得越来越复杂,模型参数个数急骤增加,目标函数自变量空间的维数也变得越来越大,传统的一些基于梯度的参数提取方法已经不能很好地解决问题。遗传算法是一种应用基因工程和人工智能模拟的优化算法,近年来在半导体器件模型参数提取领域被广泛使用,这种方法能有效地克服传统参数提取方法中的一些困难。详细阐述了采用遗传算法提取半导体器件模型参数的原理,同时也指出了采用这种方法提取模型参数时的缺点和目前的一些解决方法。 相似文献
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通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程,应用费米统计建立了UTB MOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型.并利用自恰求解薛定谔方程和泊松方程的结果对模型进行了验证,分析了UTB结构中阈值电压随硅膜厚度变化的关系. 相似文献