基于机器微视觉的微结构平面运动测试技术

为了对MEMS的微结构平面运动特性参数进行提取和分析，基于机器微视觉构建MEMS动态测试系统，提出模糊图像合成技术．在连续光照明下获取微结构运动图像，利用光学检测方法增强模糊特征带，引入亚像素定位技术提取特征结构边缘，最终获得微结构的平面运动特性参数．实验结果表明，该系统测量误差小于100nm，具有较好的测量重复性精度，与现有系统相比，该系统测量原理简单，实现方便，且能满足微结构的测试需求．     

具有隔离结构的横向接触式体硅微机械继电器

介绍了一种横向接触式体硅微机械继电器。这种继电器采用硅/玻璃键合及深刻蚀(DRIE)工艺加工,并利用多晶硅填槽形成隔离结构。继电器采用静电激励,横向驱动。分析了继电器静电激励的阈值电压,介绍了一种在有限元仿真工具ANSYS^TM下用降解模型(ROM)分析阈值电压的方法,并对仿真结果和实验结果进行了比较和讨论。     

加速度系统的结点化模型仿真

利用在Zeni VDE平台下建立的梁、平板质量、集总质量、气隙、压膜阻尼和锚点等结点化基本单元模型,对一种电容式加速度计系统进行了一系列的仿真,仿真内容包括静态仿真,时域仿真和频域仿真等。仿真结果和商用仿真工具ANSYS的仿真结果以及试验数据保持良好的一致。     

纳米硅薄膜材料在场发射压力传感器研制中的应用

设计研制了一种基于量子隧道效应机制的场发射压力传感器原型器件, 用CVD技术制备了粒径为3 ~ 9 nm, 厚度为30 ~ 40 nm的纳米硅薄膜, 并同时把这种低维材料引入到传感器阴极发射尖锥的制作, 形成纳米硅薄膜为实体的发射体结构. 用HREM及TED分析了纳米硅态的显微特性, 用场发射扫描电子显微镜SEM分析了发射体及阵列的微观结构, 用HP4145B晶体管参数测试仪考察了传感器件的场发射特性. 实验结果表明, 当外加电场为5.6×10⁵ V/m时, 器件有效区域发射电流密度可达53.5 A/m².