Au／PZT／BIT/p-Si结构铁电存储二极管存储特性

采用脉冲激光沉积方法(PLD)制备了Au/PZT／BIT／p-Si结构铁电存储二极管.对其铁电性能和存储特性进行了实验研究.铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线,其剩余极化和矫顽场分别约为15 μC／cm^２和48 kV／cm; 10^９次开关极化后剩余极化和矫顽场分别仅下降10%和增加12%;观察到源于铁电极化的CV和IＶ特性回线;电流密度+4 V电压下为6.7×10^-8 A／cm²; 在+2 V的读电压下,读“1”和读“0”电流有0.05 μA的明显差别;保持时间达30 min以上.     

dl—日本丽金龟性信息素合成方法研究

以丙炔醇为原料，应用功能基团的保护、格氏交换与格氏偶联、脱保护基氧化、亲核加成、闭环反应、氧化仲醇成内酯、选择性催化等合成方法合成了ｄｌ－日本丽金龟性信息素，原料易得，操作路线简单，产率较高。     

热处理工艺对KTa0.65Nb0.35O3薄膜结晶学性能的影响

钽铌酸钾(KTa_(1-x)Nb_xO_3,简称KTN),铁电与顺电相变温度(T_c)可通过改变钽铌比调节,将T_c调节到近室温附近,其晶体具有良好的热释电、电光和非线性光学性质,可用于热释电探测器、电光调制器、电光偏转器、全息存贮等,其薄膜可用于光电子器件和集成光学器件中.当x=0.35时,KTN在无机材料中具有最大的二次电光系数.我们用Sol-Gel法制备了其沿(100)、(111)取向生长的薄膜.薄膜的结晶学性能对薄膜的电学、光学和电光性能有很大的影响,如焦绿石结构相的存在,使KTN薄膜失去铁电性.另外,薄膜的Curie温度(T_c)升高,介电温谱峰竞化,剩余极化强度降低,电滞回线变窄等,不仅与尺寸效应、衬底对薄膜的应力有关,而且与薄膜的结晶学性能有关.本文研究了热处理工艺对薄膜的结晶学性能的影响.     

dl－日本丽金龟性信息素合成方法研究

以丙炔醇为原料，应用功能基团的保护、格氏交换与格氏偶联、脱保护基氧化、亲核加成、闭环反应、氧化仲醇成内酯、选择性催化等合成方法合成了ｄｌ－日本丽金龟性信息素．原料易得，操作路线简单，产率较高     

用金属醇盐制备KTN溶胶凝胶的工艺研究

报道了混合醇盐的性质，混合醇盐在室温下为无色或淡黄色透明固体，加热熔融，溶于乙醇，极易水解，水解产物为氧化物的水合物；详细研究了钽铌酸钾溶胶、凝胶的制备工艺，发现温度，浓度、催化剂、介质、湿度是影响溶胶、凝胶形成的重要因素：（１）浓度愈高，水解愈快，易形成沉淀；浓度愈低，亦水解愈快，形成沉淀。