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无序瞬子媒质中的两胶子凝聚 总被引:1,自引:1,他引:0
在量子色动力学瞬子真空模型中,研究了SUc(2)、SUc(3)规范场论中两胶子凝聚的温度依赖关系,用费曼变分原理和平均场近似方法,发现两胶子凝聚随温度升高而衰减,在T≈4.5∧ms时,凝聚几乎消失;色磁凝聚和色电凝聚的干涉部分同非干涉部分相比,虽然比较小,但在低温区不可忽略。 相似文献
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脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究 总被引:3,自引:1,他引:3
铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb(ZrTi)O_3(PZT)等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。de Araujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在10~(12)次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。 相似文献
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杨平雄 《中国科学(E辑)》1998,28(4):13-319
以层状钙钛矿结构铁电薄膜Pt/SrBi2 Ta2 O9/Pt(Pt/SBT/Pt)三明治结构薄膜电容系统为例 ,研究了铁电薄膜高场耗散效应 .详细讨论了铁电薄膜高场漏电特性、击穿特性和瞬变电流特性以及铁电薄膜高场耗散效应产生的机理 .发现SBT薄膜漏电机制是从体限制过渡到电极限制为主 ,击穿电场与电极有效面积的对数成负线性关系 ,瞬变电流与极化反转无关 .理论分析与实验结果一致 . 相似文献
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高致密、结晶好的钽酸锶铋陶瓷靶由SrCO3、Bi2O3和Ta2O5粉末混合、预烧、压模和烧结而成,预烧和烧结温度范围分别为900~1000℃和1000~1400℃。用脉冲准分子激光沉积技术制备得到非晶钽酸锶铋薄膜,在氧气氛下经退火得到多晶钽酸锶铋薄膜。XRD分析得到钽酸锶铋薄膜择优取向以(008)和(115)为主;TEM分析得到钽酸锶铋薄膜晶界清晰、结构致密,平均晶粒大小约为20nm,薄膜的界面清晰、陡峭,厚度约为200nm。 相似文献
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在有限温度量子色动力学瞬子真空模型中,考虑瞬子间的相互作用,应用费曼变分原理和平均场近似,研究了三胶子凝聚的温度依赖性,结果表明:三胶子凝聚随温度升高而衰减,并在T≈3.0∧ms时几乎为零,三胶子凝聚的干涉部分与非干涉部分相比可以忽略,低温近似仅在T<60MeV温度区域成立。 相似文献
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