首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6篇
  免费   0篇
现状及发展   1篇
综合类   5篇
  2012年   1篇
  2009年   1篇
  2008年   1篇
  2007年   2篇
  2005年   1篇
排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
介绍一种新颖的光学显微集成成像三维信息获取技术.实验证明该技术相对于其他三维显微技术具有结构简单无需相干光源、能实时获取样品的三维表面结构等特点.该技术对光学显微成像及其三维显示具有广泛的应用前景.  相似文献   
2.
钳工训练是工科类学生工程训练的重要环节,如何使学生既学习到钳工的基础知识和基本操作技能,又培养了学生创新意识与创新能力,是新形势下工程训练中的重要问题。  相似文献   
3.
介绍了具有时间约束的分布式软件(TCDS)的可靠性评估方法,阐述了线性文件传输路径的响应时间评估算法;根据这种思想,通过改变配置文件中被测分布式系统的拓扑结构、链路的通信能力和可靠性以及每个程序的所需文件集等信息。能真实模拟现实环境中不同拓扑下的分布式软件.该响应时间评估算法的使用可以减少测试程序的运算时间开销。提高具有时间约束的分布式软件可靠性评测的效率.  相似文献   
4.
本文在认识背诵在英语学习中重要性的基础上,详细介绍了几种背诵技巧。  相似文献   
5.
考查了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)高压制备微晶硅(μc-Si:H)薄膜过程中,系统长时间使用造成的微晶硅薄膜特性的漂移情况。实验中,控制沉积条件,使薄膜的沉积速率达到约0.5nm/s;保证硅薄膜具有一定的晶化程度(40%~80%),由不同探测波长的Raman散射谱估算纵向结构变化。以腔室使用时间作为基准,考查不同硅烷浓度下制备的样品,发现在相同沉积条件下,材料的晶化率和光暗电导随腔室使用时间的增加而不断增大,沉积速率随之大幅提高。观察发现,在电极板和腔室壁上积累了大量硅反应残留物(硅粉末和硅薄膜),分析认为,薄膜特性漂移是这些硅残留物不断参与等离子体及成膜反应的结果。研究表明,提高硅烷浓度可有效校正微晶硅薄膜电学及结构特性的漂移,同时保持高速沉积。  相似文献   
6.
英语句子结构中存在否定转移现象,由于受汉语影响,掌握这种用法较困难,本文就此作一归纳、分析。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号