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采用两管模型分析了新型深亚微米SOI推进型栅控混合管的工作机制,该器件有效地改善了传统MOS器件中提高速度和降低功耗之间的矛盾,并且大大提高了输出电阻.在此基础上提出了该器件的亚阈电流模型.模型中考虑了横向非均匀掺杂对体效应、短沟效应及迁移率的影响.在考虑可动电荷影响的情况下进行准二维分析,求解表面势,进而求出包括扩散分量和漂移分量的亚阈电流.模型计算结果得到良好的验证,正确反映了SOI推进型栅控混合管的电流特性.该模型同时对POCKET注入深亚微米MOSFET的电流模拟有重要参考意义. 相似文献
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