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韩茂华  梁新刚  黄勇 《科学通报》2005,50(6):588-591
计算了不同厚度的碳化硅(SiC)薄膜的吸收率, 发现厚度在几十至100 μm、上下表面平行的碳SiC薄膜的热辐射具有良好的干涉性质. 由于SiC独特的光学性质, 薄膜对10 μm的入射波吸收率达到0.98, 接近黑体的吸收率; 而对于10.5至12.4 μm波段的热辐射, 又几乎变得不吸收. 计算还表明, SiC薄膜的半球发射率跟温度有关, 在300至500K之间, 半球发射率比较高.  相似文献   
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