用正电子湮没寿命技术研究纯铜的形变缺陷

本文用正电子湮没寿命方法研究了形变纯铜缺陷产生的特点及其运动规律,讨论了位错密度和形变量之间的关系以及正电子寿命方法研究形变缺陷的适用范围。对试样所作的TEM观测得到与正电子寿命方法定性一致的结果。     

ZnO压敏材料的PAT研究

ZnO压敏材料自60年代问世以来发展迅速,应用越来越广泛,市场对材料性能也不断提出新的要求.如何从实验中研究出性能优良、价格低廉的实用材料和器件一直成为该领域科技人员努力的目标,其技术突破的关键又在于寻找合适的掺杂配方和烧结工艺.本文试图用正电子湮没寿命方法研究材料性能与掺杂量及烧结工艺之间的内在联系,探讨不同条件下微观结构的变化,以期寻求一种优化掺杂和工艺的新方法.从结果来看,这种研究方法是有意义的.     

碘掺杂聚乙炔的正电子湮没谱和结构缺陷转变

本文研究了反式碘掺杂聚乙炔[CH(I_3)_y]_x在室温下正电子湮没寿命随掺杂浓度y的变化关系,发现y约在0.0025和0.043处寿命谱出现明显的突变.计算了杂质势和链间耦合积分.用链间耦合随掺杂浓度增强的概念,说明了出现上述两个突变的原因和主要元激发的转变,解释了磁化率随掺杂浓度变化的实验规律,讨论了三个区域的导电模型和电导率随温度的变化关系.     

光学双稳性和双稳态光学器件

光学双稳性的发现导致了双稳态光学器件的诞生。该器件具有光逻辑功能,在未来的光数字计算机中,有可能成为一种基础逻辑元件。《光学双稳性和双稳态光学器件》一文对咨询技术作了介绍。