SOCl2和CF4在光纤MCVD过程中脱氢反应的平衡计算

计算了O₂-H₂O-CH₄-SOCl₂-SiO₂和O₂-H₂O-CH₄-CF₄-SiO₂系统与CVDSiO₂光纤有关组成的多相平衡,给出在1073~2573K温度下沉积SiO₂内的平衡羟基浓度并讨论了SOCl₂与CF₄添加剂在MCVD过程中的脱氢作用.     

Sm_2O_3-BeO、Ho_2O_3-BeO和Y_2O_3-BeO体系的相平衡研究

采用淬火法和固相反应法,并结合显微镜和X射线多晶分析,研究了Sm_2O_3-BeO、Ho_2O_3BeO和Y_2O_3-BeO体系的相平衡关系,并作出相图(图1)。试料制备和实验方法见文献[1、2],原料纯度见表1。     

银离子导体Ag_4P_2O_7 15AgI的EPMA研究

在EPMA(电子探针显微分析仪)电子束轰击下,快离子导体内的钠离子迁移和金属沉积服从递减源的离子迁移方程式: Q=α[1—exp(—bt)]+Q_0 exp(—bt) (1)式中Q——金属沉积量;a、b——常数,分别