多孔硅光致发光激发谱测量与机理分析

对多孔硅光致发光光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的研究可以获得许多有关多孔硅发光机理的信息。已有许多文章报道了多孔硅发光的光谱特性和多孔硅的制备条件以及后续处理之间的关系,并据此提出了不同的发光模型。也有人对多孔硅的发光特性和激发条件间的关系进行了研究,并提出多孔硅的发光和表面态或荧光中心有关。我们用不同波长的单色光作激发源,测量了多孔硅发光的光谱特性,并用连续变化波长的单色光作激发源,测量     

深能级测量中的软件技术

由微计算机通过AD/DA变换器产生深能级测量中必须的脉冲和偏压控制信号以及温度控制信号,并对瞬态电容和样品温度进行测量,可在一次温度扫描过程中获得一组对应于不同的测量率窗的深能级信号曲线,从而获得深能级的全部参数。采用指数式变化的相关加权系数可以大大提高测量的灵敏度。通过计算可求得最佳的加权系数。用高阶相关的方法可以改善测量谱峰的分辨能力。机器语言子程序可大大提高瞬态电容的测量速率并可保证严格的时序。各个测量点的延迟时间可在0.5ms到数十秒的范围内调节。