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欧姆接触是半导体器件工艺的基本环节之一,制得低而稳定的接触电阻对器件性能的改进有很大意义.n型GaAs欧姆接触合金目前普遍采用以AuGe共晶为基加入不同量的Ni合金,但加热合金化有缩球现象、不均匀性和表面粗糙的缺点,对器件性能带来影响.近年来,不少学者以红宝石脉冲激光器、氩离子连续激光器等进行激光合金化,得到了良好的欧姆接触.  相似文献   
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