电荷屏蔽对超新星前身星阶段电子俘获的影响

利用Langanke等人给出的新的弱相互作用理论，分析了在超新星前身星阶段，电荷屏蔽对电子俘获的影响．分析中屏蔽势采用最近Itoh等人用线性响应理论导出的结果．表明在高密情况下电荷屏蔽对电子俘获率的影响是明显的．     

一种新的Dirac能级图

近年来,Manko等人的研究表明,在不违背Robinson-Carter定理的情况下,宇宙中可能存在着带有质量多极矩的黑洞.对质量多极矩而言,质量四极矩的引力场将成为重要部分.具有质量四极矩的一类黑洞的特性已得到初步的研究,本文采用Manko最近从真空Einstein场方程得到的严格的渐近平直黑洞解,用计算机计算并绘制出一个具有质量四极矩的稳态轴对称非Kerr黑洞时空中的Dirac能级,进而研究这种黑洞的非热辐射和黑洞内禀奇点对Dirac能级的影响.     

用L—S藕合的蒙特—卡罗模型模拟复杂光谱

阐述了L—S耦合情况下的Monte—Carlo理论模型．在局域热动平衡条件下，用Monte—Carlo模型模拟Hf等离子体复杂光谱的部分光谱：类钇铪的光谱，其主要方法是：由统计方法计算出类钇铪等离子体的4d^3—d^26p束缚束缚跃迁的跃迁阵的谱线数目，从高斯分布中随机确定每条谱线的能量。再根据L—S耦合时能量与强度的关系来确定每条谱线的强度，从而模拟未分辨跃迁阵Hf^33 4d^3—d^26p的光谱线。     

电荷屏蔽与超新星前身星阶段电子丰度的变化率

超新星的前身星核心区的电子丰度 ,是Ⅱ型超新星的理论研究中最关键参数之一 .对于Ｉ型超新星 ,尽管其坍缩的主要原因是当吸积白矮星的质量超过Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒ临界质量时广义相对论效应引起的 ,但是电子俘获会加速其坍缩过程 .电子俘获率的高低不仅影响着前身星演化阶段中的中子剩余 ,同时电子俘获反应伴随着大量中微子的产生 ,电子俘获反应进而冷却了铁核心 .人们对超新星的前身星环境的电子俘获问题进行了广泛的研究 .Ｂｅｔｈｅ等人的研究表明 ,Ｇａｍｏｗ Ｔｅｌｌｅｒ(ＧＴ)共振跃迁能大大增加电子俘获率 ,而且可能影响前…     

中等年龄疏散星团NGC752中的QXAnd变星的测光研究

QxAnd变星是中等年龄疏散星团NGC752中的一个短周期的WUMa类型的相接双星．在2007年9月10日到12月25日期间,利用国家天文台兴隆85cm反射式望远镜对QXAnd变星进行B和V测光研究．我们得到了B和V两个波段的光变曲线;利用K—W方法定出光变极小时刻;通过经典的O—C方法得到QXAnd变星的周期P=4．12168117d和周期变化率dp／dt=1．89×10^-7d／a．     

超强磁场对β衰变低能跃迁特征能级的影响

分析了超强磁场对非零温电子气体化学势的影响,研究了超强磁场下口衰变低能跃迁特征能级的变化情况,并以^59Fe,^62Co为例详细计算,结果表明,磁场B〈10^10T时,特征能级几乎不变,但是当达到超强磁场（B〉10^10T）时,特征能级明显降低．     

强磁场对中子星壳层中^62 Mn的β衰变的影响

分析了强磁场作用下中子星壳层中的β衰变率，以核素^62 Mn 为例计算表明：弱磁场对中子星壳层中的β衰变几乎没有影响，强磁场（B〉10^8 T）使β衰变率显著增大．     

电荷屏蔽与超新星前身星阶段fp壳层核的电子俘获

利用核的壳层模型，讨论了电荷屏蔽对超新星的前身星阶段一些较丰的核在一些重要的温度－密度点的电子俘获率的影响，结果表明由于电荷屏蔽的作用其电子丰度变化率须乘以一个０．８－０．９的因子。     

高斯光束在粗糙圆柱表面散射的Kirchhoff解

采用物理光学边界近似,分析了高斯光束在随机粗糙分布的圆柱形物体表面的散射,同时给出了一次散射的远场积分表达式,并就高斯光束呈水平偏振光状态,垂直入射于圆柱导体表面时,位于入射面内的散射截面的角分布作了进一步的讨论.给出了包含有粗糙表面统计参数的散射截面的表达式.     

超新星中夸克相变的u,d夸克质量效应

 分析了超新星中从两味夸克物质到奇异夸克物质相变的u,d夸克质量作用,研究表明,相变平衡后,u,d夸克质量对夸克丰度、温度和中微子总能量的影响不大.在分析相变过程时,u,d夸克的质量可以忽略.进一步表明,夸克味(u,d)不是好的量子相变参量.光子的夸克结构模型也得到了支持.