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本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Cr的非晶硅基薄膜a-Si_(1-x)Cr_x的变温电导特性。实验结果表明,x≤10at%的组分范围内,室温电导率由8.7×10-7增大到7.2×10-1Ω-1·cm-1;在290K到500K的范围内,薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和EF附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电,Cr3+离子在非晶薄膜中的存在形式,它对硅悬挂键的补偿以及掺Cr引人的结构无序是决定薄膜电导特性的主要因素。 相似文献
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本文对HDBn,MHDHn和CHDBn码的编译码电路进行了系统的逻辑设计,其中HDB_3的编译码电路(图2和5)已经过实验检验。 相似文献
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兰大技革组已从实验上发现,只要时3AG63锗合金扩散晶体管进行适当地脉冲“处理后”,它的Ⅰ-Ⅴ特性就具有典型的负阻特性。文中探讨了这种负阻现象的物理机理,借用电子计算机求解了热—电传导方程式,所得结果同实验一致。 相似文献
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本文对掺Mn的硫系玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2样品,进行了电导率与温度关系、ESR信号和X衍射强度曲线的测量,并研究了Mn杂质对非晶态半导体导电和结构的影响。 相似文献
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埋入SiO2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光 总被引:3,自引:1,他引:3
1990年英国人Canham报道的多孔硅室温可见光致发光,显示了Si材料在光电子技术方面的潜力,这为全Si光电子电路的实现带来了曙光,使人们受到了极大鼓舞.近几年人们对多孔Si的研究已经非常深入,尽管目前还没有统一的模型能解释全部实验结果,但是可以肯定的是,从扫描隧道电镜观察到多孔Si是具有2~5nm尺寸的纳米微粒,这种低维的纳米微粒是获得可见光发射的主要原因.目前多孔Si多用湿法制备,性能不稳定,电接触方面存在困难,严重限制了它的应用.因此,探索制备有纳米结构的Si及Si基合金以获得强的可见光发射,具有极重要的意义. 相似文献
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本文介绍了用于PCM~(30)/32端机编码器的双通道运算放大器电路和特性分析,其电压增益约为100db,单位增益带宽约为100MHZ。零点漂移约为1my;所得实验结果,同理论一致。 相似文献
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电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的电导特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Cr的非晶硅基薄膜a-Si1-xCrx的变温电导特性。实验结果表明,X≤10at%的组分范围内,室温电导率由8.7×10^-6增大到7.2×10^-1Ω^-1,cm^-1,在290K到500K的范围内,薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和EF附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电。Cr^3+离子在非晶薄膜中的存在形式,它对硅悬挂键的补偿以及掺Cr 相似文献
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本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Cr的非晶硅基薄膜a-Si1-x-Crx的光吸收特性。研究结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外长波的吸收特性影响较大,0.10at.%<x<2.0at.%的组分变化区,是薄膜光吸收特性变化的灵敏区。在研究的组分范围内,薄膜的光学带隙随Cr组分的增大而变窄,由1.50eV(x=0)减小到0.84eV(x=10.0at.%)。薄膜对不同波长的入射波,其吸收系数a有 相似文献